假設(shè)充電電流20A，數(shù)據(jù)計算采用理論值，實(shí)際功率管會隨著溫度等變化，會有一些誤差，主要講解為什么發(fā)熱量相差這么大。

1. 可控硅整流器（短路式）發(fā)熱量

可控硅壓降一般在1.1V-1.4V，二極管壓降0.7v

發(fā)熱功耗=（1.1V+0.7V）*20A=36W

Ps.國內(nèi)基本上都是用220封裝的可控硅，因為再大的尺寸比如TO-3P封裝一般鋁殼是放不下的，而要做40A的整流器的話，可控硅要進(jìn)口的，價格是普通的153可控硅（16A）貴6-8倍，一般工廠肯定不會采用的，一般工廠可控硅用到20A算還可以了。

2. MOS+肖特基二極管發(fā)熱量

我們用的肖特基一般壓降在0.6-0.7V，mosfet內(nèi)阻一般4毫歐-7毫歐

發(fā)熱功耗=0.6V*20A+0.006Ω*20A*20A=14.4w，比硅整流降低了60%的發(fā)熱量。所以一般用MOS的整流器比可控硅溫度低很多（短路式）。

Ps.其他很多工廠是用硅粒二極管，恢復(fù)慢，發(fā)熱會更大

3. 相位控制發(fā)熱量

我們采用的MOS 一般是低內(nèi)阻3.5mΩ到4mΩ，

發(fā)熱功率會是0.004Ω*20A*20A*2=1.6w，比mosfet整流器降低了88.9%發(fā)熱量，比可控硅整流器降低了95.5%，基本上高負(fù)載下，外殼是不會燙手的，mosfet長時間還是會略燙手，可控硅的基本不能碰，因為溫度會100以上。

小結(jié)：

一些騎友會喜歡加一些射燈等負(fù)載上去，有時候發(fā)電量會不夠用，會想增加磁電機(jī)的發(fā)電量，其實(shí)也可以改用相位控制或者mosfet的整流器，因為像原裝以前挺多是用可控硅做的話，發(fā)熱量36w的情況下，那么等于磁電機(jī)輸出功率比較多的部分被消耗在發(fā)熱上，導(dǎo)致電源效率低下，帶不動外面的負(fù)載。而改用相位控制的話，只有1.6w浪費(fèi)在發(fā)熱上，可以輸出更多的功率給電瓶，大燈等負(fù)載。